三星召开“晶圆代工论坛” 提出3纳米芯片工艺

2018年6月15日11:02:10三星召开“晶圆代工论坛” 提出3纳米芯片工艺已关闭评论 已收录 15

三星召开“晶圆代工论坛” 提出3纳米芯片工艺

论坛现场

本次论坛上,三星电子的事业部长带领主要管理团队,介绍了晶圆代工事业部升级为独立业务部门一年来的发展成果,以及未来发展路线图和服务,并提出合作方案,以促进半导体业界实现美好愿景和共同发展。

三星召开“晶圆代工论坛” 提出3纳米芯片工艺

三星电子晶圆代工事业部 负责人 郑殷昇社长

本次论坛上首次发布的内容包括晶体管构造(FinFET、GAA)与曝光技术(EUV)的使用计划,以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图。

三星晶圆代工业务不仅在eFlash/PMIC/DDI/CIS/RF/IoT等产品定制型8英寸特种工艺和高端工艺等多个领域占据领先地位,还打造了具备实力的晶圆代工生态系统,包括IP、EDA和设计服务支持,并且有能力提供设计、生产、封装、测试等一站式服务。

对于中小型无厂晶圆企业而言,和晶圆代工企业在生产和产品设计领域方面展开紧密合作,具有重要的意义。如果能与三星晶圆代工携手,则有望取得更大的成果。

三星电子晶圆代工事业部战略市场部部长、副社长裵永昌表示,三星电子坚持技术创新,以增强晶圆代工部门的市场竞争力,今年有望在业界率先实现EUV技术的商用化。

他还强调,以今年首次在华召开的三星晶圆代工论坛为起点,三星电子晶圆代工事业部将加强与中国市场的沟通,以提供差异化技术为基础,为中国市场量身打造晶圆代工解决方案,成为中国无厂晶圆企业走向成功的合作伙伴。

三星电子认为中国市场对于发展新一代半导体行业具有重要意义,计划未来将以提供差异化技术为基础,为中国市场量身打造晶圆代工解决方案。

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